Samsung Electronics Co., Ltd объявляет, что впервые в индустрии начал массовое производство чипов флэш-памяти NAND нового поколения, с 3-мерным размещением ячеек. 3D V-NAND позволяет преодолеть имевшиеся ограничения масштабирования флэш-технологий. Новые чипы найдут применение в широком спектре потребительской электоники и промышленных приложений.

С момента появления флэш-памяти примерно 40 лет назад и до сих пор ячейки памяти находились в одной плокости, т.е. 2-мерном пространстве. Но при уменьшении межъячеечных интервалов до 10 нм и ниже интерференция стала оказывать слишком сильное влияние. При 3-мерном размещении с 20-нанометровой технологией можно получить от 2-х до 10-кратного преимущества по емкости, а также заметный выигрыш в производительности. В перспективе возможно использование до 24-х слоев.

Разработка велась Samsung в течение 10 лет, в процессе получено более 300 патентов. Начало массового производства 3D V-NAND чипов означает скорый выход конечных продуктов на них, т.е. заметное увеличение базовых стандартов и возможностей расширения памяти электронной техники.