Samsung Electronics объявил о начале массового производства микросхем флэш-памяти NAND емкостью 128 Гбит. В них впервые тиражно реализована технология размещения ячеек в объемной структуре 3D Vertical NAND.
Samsung Electronics объявил о начале массового производства микросхем флэш-памяти NAND емкостью 128 Гбит. В них впервые тиражно реализована технология размещения ячеек в объемной структуре 3D Vertical NAND.
1204
0
