Компания Samsung провела церемонию, посвящённую началу поставок первой партии своих 3-нм чипов, выполненных с использованием транзисторов GAA. Мероприятие прошло на площадке, где размещается производственная линия V1 в кампусе Хвасон в Южной Корее.

Событие посетили порядка 100 человек, включая высших чинов Министерства торговли, промышленности и энергетики Южной Кореи и всех ключевых сотрудников Samsung, внёсших вклад в разработку и организацию массового производства чипов нового поколения. В ходе мероприятия Samsung огласила амбициозную цель «двигаться вперёд с помощью инновационных технологий, чтобы стать лучшей в мире».

По словам представителей Samsung Foundry, технологические препятствия при разработке 3-нм техпроцесса были устранены с помощью сотрудничества как с другими подразделениями Samsung, так и производственными и инфраструктурными партнёрами компании.

3-нм чипы Samsung используют технологию транзисторов GAA (Gate All Around), обеспечивающую более эффективное энергопотребление и повышенную производительность в сравнении с уже используемой FinFET. Новое решение будет применяться для выпуска процессоров, предназначенных для серверов, дата-центров, а также передовых чипсетов для смартфонов, планшетов, носимых устройств, ноутбуков, настольных компьютеров и другой электроники.

Компания начала разработку GAA в начале 2000-х годов и впервые успешно применила её при производстве 3-нм чипов в 2017 году. После нескольких лет исследований и тестов началось производство новых решений. В частности, 3-нм чипы будут поставляться китайской майнинговой компании.

Ожидается, что главный конкурент Samsung на рынке контрактного производства полупроводников — компания TSMC, начнёт выпускать 3-нм чипы приблизительно в 4 квартале 2022 года. Обе будут состязаться за право получить заказы от крупных вендоров вроде AMD, Apple, MediaTek, NVIDIA и Qualcomm.