Южнокорейский гигант сообщил о старте массового производства флэш-чипов MLC (3-bit multi-level-cell) NAND емкостью 128 Гб. Причем, эти чипы изготавливаются с применением технологического процесса 10-нанометрового класса.

Сообщается, что новые чипы имеют высокую скорость передачи данных на базе интерфейса toggle DDR 2.0. Передача информации происходит на скорости до 400 Мб/с. К тому же, устройства обеспечивают наиболее высокую в отрасли плотность хранения данных.

С выходом в свет чипов памяти NAND емкостью 128 Гб компания Samsung подумывает об увеличении поставки карт памяти емкостью 128 Гб. Более того, корпорация собирается увеличить объемы производства твердотельных накопителей емкостью более 500Гб. Также новые чипы будут применяться в ряде электронных устройств