Ученые из Рочестерского университета начали разработку транзистора принципиально нового типа. Современная полупроводниковая технология уже практически достигла потолка своего развития. И тут на помощь может прийти концепция баллистического транзистора (Ballistic Deflection Transistor). Суть идеи такова: электроны влетают в структуру и, в зависимости от управляющего напряжения, отклоняются вправо или влево. Треугольный рассекатель в центре устройства доворачивает изначально отклоненный поток электронов и направляет его в нужную сторону, так что ток в результате появляется только на одном из выходов устройства. Принцип действия баллистического транзистора проиллюстрирован на рисунке, а на фотографии показан прототип этого устройства. Причем, тестовый прототип, специально сделанный достаточно "большим", по размерам вполне сравним с лучшими достижениями современной технологии. При изготовлении транзистора используется специальный полупроводниковый материал, свойства которого подобраны таким образом, чтобы исключить взаимодействие электронного пучка с атомами примесей. За счет использования такого материала электроны в устройстве можно считать свободно движущимися. Собственно, отсюда и возникло слово "баллистический" в названии. По словам исследователей, новый дизайн транзисторов в перспективе позволит достичь скорости переключения порядка терагерц и при этом резко снизить энергопотребление и рассеиваемую мощность полупроводниковых устройств. Впрочем, произойдет это, только если ученым удастся полностью реализовать свою разработку в кремнии, а производители возьмут технологию на вооружение. Что случится, скорее всего, еще не скоро.

Константин АФАНАСЬЕВ