8 февраля Intel Corporation (www.intel.com/research) и британская компания QinetiQ (www.qinetiq.com) распространили пресс-релизы (qinetiq.com/home/newsroom/news_releases_homepage/ 2005/1st_quarter/intel_and_qinetiq.html, intel.com/pressroom/archive/releases/20050208corp.htm), в которых сообщаются результаты двухлетней работы в рамках совместной программы по разработке новых технологий производства транзисторов для микросхем будущего.

Новое в предлагаемом решении - это использование перспективного полупроводникового материала антимонида индия (InSb), который может составить альтернативу кремнию. Ученые двух компаний показали, что новые транзисторы могут быстро работать при очень низких напряжениях и, соответственно, с низким энергопотреблением. Так, по сравнению с обычными транзисторами, при одинаковой производительности они потребляют примерно в 10 раз меньше энергии, а при одинаковом энергопотреблении позволяют достигать 3-кратного выигрыша в производительности. Созданный прототип транзистора нормально находится в открытом состоянии и закрывается при подаче на затвор отрицательного напряжения.

QinetiQ первой начала эксперименты с антимонидом индия в 1995 г. в рамках проекта, поддержанного Министерством обороны Великобритании. Intel также имеет к этому материалу особый интерес наряду с еще несколькими перспективными материалами, которые, как надеются специалисты компании, позволят продлить действие закона Мура, по крайней мере, еще на десятилетие.

Выбор антимонида индия обусловлен тем, что в этом материале больше носителей заряда, чем в кремнии, и они значительно более подвижны. Но до сих пор трудность в его использовании заключалась в том, что управлять ими удавалось только при очень низких температурах - порядка 77 К (-196°C). Преодолеть это ограничение удалось путем создания многослойной структуры, где слои чистого антимонида индия помещались между слоями того же материала, смешанного с алюминием. При этом изолированный чистый материал действовал подобно "квантовой яме", способной удерживать быстродвижущиеся электроны и дающей возможность управлять ими при достаточно низких напряжениях.

Будущее новой технологии зависит от того, удастся ли сделать технологический процесс производства микросхем столь же простым, как и кремниевых.

Результаты проводимых исследований впервые были опубликованы на International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology (ICSICT'2004), состоявшейся в Пекине 18-21 октября 2004 г. Презентация и текст доклада доступны онлайн (ftp://download.intel.com/research/silicon/Chau%20QWFET%20ICSICT%20foils%20102004.pdf, ftp://download.intel.com/research/silicon/Chau%20QWFET%20ICSICT%20paper%20102004.pdf).

Сергей САНЬКО