На прошедшем в Киото (Япония) 10-14 июня симпозиуме "Интеграция в очень больших масштабах" (Very Large Scale Integration (VLSI) Technology Symposium: www.vlsisymposium.org) представитель компании Intel Кен Дэвид сообщил, что исследовательская часть работ по созданию трехзатворных транзисторов завершилась и началась подготовка к промышленному внедрению новой технологии, которая позволит Intel не потерять своих лидирующих позиций, по крайней мере, до конца текущего десятилетия.

Интерес к многозатворным транзисторам отнюдь не случаен. Согласно известному закону Мура об удвоении числа транзисторов в микросхемах каждые полтора-два года, эти элементы должны становиться все меньше и меньше. Это ведет к неизбежным электропотерям, что сопровождается быстрым разрядом батарей и повышенным тепловыделением. Уже давно поговаривают, что близок день, когда закон Мура потеряет свою силу. Отсюда и повышенный интерес к нано- и квантовой электронике.

Однако резервы обычной кремниевой электроники, по-видимому, еще далеко не исчерпаны. Один из способов уменьшить электропотери в транзисторах - это увеличить поверхность затворов. Обычные затворы полевых транзисторов плоские, и ток от истока к стоку течет как бы под ними. В трехзатворных транзисторах, разработанных в Intel, затворы образуют своеобразный тоннель, и ток течет под его "сводами" более стабильно, что ведет к меньшим потерям и меньшему тепловыделению.

Intel'овские лабораторные трехзатворные транзисторы имеют затворы 30-нанометровой длины. Для производства микросхем предполагается использовать примерно 45-нанометровые затворы. На рынок такие чипы должны будут поступить в 2007 году.

Главные конкуренты Intel - компании IBM и Advanced Micro Devices - также продвигаются в многозатворном направлении, но в настоящее время они развивают двухзатворные технологии с совершенно иной конфигурацией затворов.

Презентация новой технологии - в статье директора Components Research корпорации Intel Джеральда Марчика (Gerald Marcyk): www.thedirtywalrus.com/articles/intel_tri_gate.pdf.

Сергей САНЬКО