Осенью прошлого года группа Пейдона Яна (Peidong Yang, www.cchem.berkeley.edu/~pdygrp/main.html) из Калифорнийского университета в Беркли сообщила о создании первого ультрафиолетового нанолазера на основе нитрид-галлиевого (GaN) нановолокна ("КВ", №38'2002). Теперь ученым удалось сделать еще один шаг в этом направлении. На этот раз они научились выращивать целые массивы ультрафиолетовых нанолазеров, представляющих собой нановолокна диаметром всего около 10 нм на поверхности полупроводникового материала - оксида цинка (ZnO). Для сборки массива использовалась техника, называемая дендритным выращиванием (dendritic growth). При такой сборке маленькие выпуклости, образующиеся на поверхности иглообразного кристалла, вырастают в удлиненные ветви, находящиеся примерно на одинаковом расстоянии друг от друга и обладающие заданными свойствами и размерами. Образующиеся на поверхности оксида цинка ветви чем-то напоминают зубья расчески. Они отличаются прямизной, имеют гладкую поверхность и регулярное расположение. Накачка лазеров осуществляется внешним источником света.

Полученные массивы нанолазеров, как ожидается, значительно удешевят оптоэлектронные устройства для оптико-волоконных линий связи. Найдут они применение и вне сферы оптоэлектроники, например, при создании сенсоров вибрации. Для их внедрения, правда, необходимо научиться управлять лазерным излучением с помощью электрических сигналов, а не света. Пока это удается только при работе с единичными нанолазерами.

Новые результаты были опубликованы в мартовских выпусках журналов Journal of the American Chemical Society (29.03.03) и Advanced Materials (Vol. 15, No. 5, 2003, P. 402-405).

Сергей САНЬКО,
q-n-q@kv.by