Магнитная RAM рассматривается многими специалистами как перспективный заменитель распространенной ныне DRAM. В магнитной памяти биты информации записываются в направлении намагничивания ферромагнитного материала, например, кобальта. Информация, хранимая магнитной ячейкой, изменяется применением внешнего магнитного поля, параллельного или антипараллельного направлению намагничивания ячейки. Образование ядер противоположно намагниченных доменов требует времени, а поэтому скорость переключения довольно низкая. Это препятствует широкому использованию MRAM в компьютерах.

Но недавно Томасу Герритсу с коллегами удалось значительно продвинуться в решении этой проблемы (Nature, 1.08.02). Они заметили, что если прилагать короткими импульсами магнитное поле, перпендикулярное направлению намагничивания, то спины, связанные с данными магнитными доменами, станут прецессировать вокруг прилагаемого поля, а это при подходящих условиях позволяет переключать ячейки очень быстро. Ученые также открыли, что если одновременно прилагать два противонаправленных импульса, то процесс переключения можно стабилизировать и сделать вполне контролируемым. Пока им удалось достичь таким образом времени переключения порядка 200 ps, что эквивалентно скорости записи 5 GHz, но, варьируя свойства материала и форму импульса, они надеются значительно улучшить и эти показатели. Так что не исключено, что ближайшее будущее - за MRAM.

Сергей САНЬКО