Группа ученых из HP Labs и Калифорнийского университета (UCLA) 23 января распространили пресс-релиз, в котором сообщили о получении патента на новую технологию, которая в перспективе позволит создавать сложные электронные устройства на молекулярном уровне. Предполагается, что эта технология будет простой в реализации и достаточно дешевой.

Интерес к технологиям молекулярного уровня объясняется тем, что, по мнению большинства аналитиков, основанные на кремнии технологии полностью исчерпают свои возможности уже к 2012 году. Процесс создания интегральных схем на кремнии очень сложный, дорогой, многоступенчатый, требующий создания сложной структуры проводников, образующих электроцепи. Вместо этого специалисты HP и UCLA предлагают использовать простые решетки из проводников толщиной всего в несколько атомов, соединенных одномолекульными переключателями.

Патент был получен Philip J. Kuekes и R. Stanley Williams из HP Labs и James R. Heath из UCLA. Изобретение основывалось на предыдущих патентах и научных разработках компании и университета при финансовой поддержке DARPA (U.S. Defense Advanced Research Projects Agency) и собственных инвестиций HP.

Изобретение эксплуатирует недавнее открытие специалистов HP свойства некоторых редкоземельных металлов образовывать наноскопические параллельные проводники при химическом взаимодействии с кремниевой подложкой. Два набора параллельных проводников, ориентированных взаимно перпендикулярно, могут затем быть преобразованы в решетку.

В новом эксперименте скрещенные проводники размещались по обе стороны одинарного слоя молекул, способных служить электрическими переключателями и называемых ротаксан (rotaxanes). На основе такой структуры и реализуются простые логические вентили.

Однако пришлось решить одну принципиальную проблему, связанную с тем, что в большой проводниковой решетке электрические сигналы взаимодействуют друг с другом. Предложенное решение состоит в том, чтобы разбивать проводники на небольшие фрагменты, разделенные участками со свойствами изолятора. Изолирующий эффект при этом достигается созданием разности напряжений между разделяющими участками и остальными проводниками.

Специалисты HP и UCLA также ранее запатентовали модуль памяти, созданный на молекулярных переключателях, названный журналом Technology Review, издаваемым MIT, одним из пяти лучших патентов 2000 года.

С пресс-релизом можно ознакомиться на сайте Hewlett-Packard Company: www.hp.com/hpinfo/newsroom/press/23jan02b.htm.

Сергей САНЬКО