В настоящее время, в связи со значительным снижением цен на модули SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory - синхронная память с произвольным доступом), проблем с наращиванием оперативной памяти у пользователей поубавилось. Но, как вы сами понимаете, процесс обмена потрёпанных бумажек на полезный предмет, будь то видеокамера, пылесос или набор сковородок, требует от покупателя каких-то познаний в соответствующей области. Например, чтобы купить ту же планку памяти, нужно, во-первых, хорошо представлять себе её основные характеристики, а во-вторых, уметь эти характеристики прочитать по маркировке модуля. Именно последнему моменту и посвящена эта публикация.

Внешне оперативная память представляет собой небольшую платку с запаянными на ней микросхемами (чипами памяти). При этом, если на чипы планки памяти нанесена маркировка таких гигантов, как Texas Instruments, Micron, NEC, Samsung, Toshiba, Motorola и др., то это вовсе не говорит о том, что мы имеем высококачественный модуль от именитого производителя. На самом деле большинство чипов (около 80%), изготавливаемых этими корпорациями, не используются в их собственных изделиях, а продаются в больших количествах другим компаниям. А так как для изготовления модуля памяти требуется немного: печатная плата, несколько микросхем и, естественно, оборудование для их монтажа, то таких небольших компаний существует превеликое множество. Это я к тому, что если модуль изготовлен ответственным производителем, то на нём должна быть наклейка либо иной отличительный знак, позволяющий его (производителя) идентифицировать. Если логотипа нет, сильно расстраиваться всё равно не стоит, тем более, что при современном уровне полиграфии любую наклейку запросто можно подделать.

На практике пользователя зачастую волнует не изготовитель модуля, а скоростные характеристики. Для их определения добросовестные компании наносят на планку памяти травлением или краской отдельную строку маркировки. Однако явление это не частое. Кроме того, из-за огромного количества производителей модулей разобраться во всех вариантах такой маркировки не представляется возможным. Таким образом, мы приходим к тому, что практически единственным достоверным источником сведений о модуле SDRAM является маркировка его чипов, к рассмотрению которой мы сейчас и приступим. В прямом смысле рассмотреть маркировку чипа можно на рисунке, а вот что означают эти "буковки и циферки", я попытаюсь разъяснить далее.

Какой-либо закономерности в обозначениях чипов памяти в настоящий момент не существует, поэтому их производители действуют по принципу "как хочу, так и маркирую". Но, несмотря на это, прочитать некоторые характеристики микросхем можно.

Первые символы основной строки маркировки чипа позволяют идентифицировать его производителя (см. таблицу).

Далее идёт обозначение ёмкости чипа, его организации и др. Но для конечного пользователя эта информация не имеет особого значения, поэтому останавливаться на расшифровке этих параметров мы не будем, тем более, что прочитать её достаточно сложно. Значительно более важными для покупателя являются такие характеристики микросхем памяти, как рабочая частота, время доступа и значение CAS Latency. Их обычно описывают последние символы основной строки маркировки чипа. К счастью, производителей микросхем во много раз меньше, чем производителей готовых модулей. Поэтому привести значения быстродействия чипов памяти наиболее известных компаний, их изготовляющих, вполне реально. А раз реально, значит, приводим.

FUJITSU

Пример маркировки: 81F64842C-103FN

103 - PC100 (CL=3)

102 - PC100 (CL=2)

80 - 125MHz

70 - 143MHz

IBM

Пример маркировки: IBM0316809CT3D-80

10 - PC66

360 - PC100 (CL=3)

260 - PC100 (CL=2)

80 - 125MHz

75A - PC133

LG

Пример маркировки: GM72V66841CT 7J

10K - PC66

7J - PC100 (CL=3)

7K - PC100 (CL=2)

8 - 125MHz

MICRON

Пример маркировки: MT48LC8M8A2-8B

10 - PC66

8A/B/C - PC100 (CL=3)

8D/E - PC100 (CL=2)

75 - PC133

7 - 143MHz

MITSUBISHI

Пример маркировки: M2V64S20BTP-8

10/10L - PC66

8/8L - PC100 (CL=3)

7/7L - PC100 (CL=2)

8A - 125MHz

OKI

Пример маркировки: HYB39S64800AT-8B

10 - PC66

8B - PC100 (CL=3)

8 - PC100 (CL=3)

PANASONIC

Пример маркировки: MN4SV64080A-8

10 - PC66

8 - PC100

7 - 143MHz

SAMSUNG

Пример маркировки: KM48S8020BT-GL

10 - PC66

L - PC100 (CL=3)

H - PC100 (CL=2)

8 - 125MHz

SIEMENS

Пример маркировки: HYB39S64800AT-8B

10 - PC66

8B - PC100 (CL=2)

8 - 125MHz

TEXAS INSTRUMENTS

Пример маркировки: TMS664814-8A

10 - PC66

8A - PC100 (CL=3)

8 - PC100 (CL=2)

TOSHIBA

Пример маркировки: TS59SM708FT-8

10 - PC66

80 - PC100 (CL=2)

75 - PC133

HITACHI

Пример маркировки: HM5264805-B60

60 - PC100

HYUNDAI

Пример маркировки: HY57V658020A TS-10S

10 - PC66

10S - PC100 (CL=3)

10P - PC100 (CL=2)

8 - 125MHz

ViGOUR

Пример маркировки: VC5364161ET-08

10 - PC66

08 - PC100 (CL=3)

07 - PC100 (CL=2)

WINBOND

Пример маркировки: W986408BH-8H

10/10L - PC66

8N/8L - PC100 (CL=3)

8H - PC100 (CL=2)

Согласно спецификациям PC100 и PC133, помимо маркировки, приведённой выше, на чипах должна присутствовать строка следующего типа: PCX-ABC-DEF, где

X - номинальная рабочая частота в MГц;

A - минимальное значение задержки CAS (CAS Latency) для номинальной тактовой частоты модуля, в тактах. Может принимать значения 2 или 3;

B - минимальный временной интервал RCD (RAS to CAS Delay), т.е. задержка между сигналами RAS и CAS в тактах номинальной для модуля частоты шины. Обычно это значение равно 2;

C - минимальное значение RAS Precharge параметра, позволяющего определять скорость накопление заряда по RAS до начала цикла регенерации памяти. Определяется также в тактах номинальной для модуля частоты шины и обычно имеет значение 2;

D - минимальное время доступа в наносекундах;

E - номер версии блока SPD (Serial Presence Detect), установленного на модуле (может обозначаться как одной, так и двумя цифрами или отсутствовать);

F - зарезервировано на будущее и обычно 0;

Полезно также знать и дату выпуска чипов. Обозначается она обычно четырьмя символами типа ГГНН, где ГГ - год, а НН - номер недели выпуска микросхемы. Например, надпись 9835 обозначает, что чип произведен на 35-й неделе 1998 года. Помните, что в качественном модуле памяти все чипы должны иметь одинаковую (или очень близкую) дату изготовления.

Сергей ШИРКО,
[email protected]

Немного о параметрах

Итак, синхронная память SDRAM. От своих предшественниц EDO и FPM она как раз и отличается этой своей синхронностью. То бишь, работает синхронно с тактовой частотой шины памяти. EDO и FPM были асинхронными. У них было среднее время установки значений на входах/выходах (измерялось оно в наносекундах), по прошествии которого надо было дождаться ближайшего такта синхроимпульса и скидывать данные на шину. И поэтому их характеризовали именно временами доступа (скажем, 60 или 70 наносекунд). В SDRAM же все четко к этому самому синхроимпульсу привязано, а потому характеризуется он частотой (которую, впрочем, тоже легко можно перевести во время).

И еще один момент. Считывание из памяти происходит блоками (обычно, восемь идущих подряд четырехбайтовых слов, ибо ширина шины памяти - 64 бита). Делается это для оптимизации работы кэша. Даже если нам нужен был, скажем, один байт, все равно из памяти в кэш будет считана вся последовательность, поскольку велика вероятность, что вслед за первым байтом понадобятся и последующие. А они уже в быстродействующем кэше. Так вот, доступ к первому блоку происходит примерно с такой же скоростью, как и у старых асинхронных архитектур (5 тактов на шине 100 МГц - это те же 50 наносекунд). Зато последующие блоки выдаются каждый такт. Частота, на которой все это происходит без ошибок, является рабочей частотой микросхемы или модуля памяти (отсюда и спецификации PC66, PC100, PC133). Однако частоту можно повышать, пока память не перестанет работать - это и будет предельная частота, за которой так гоняются оверклокеры.

А что такое CAS, RAS и разные их комбинации? Сигнал RAS задает строку в матрице памяти. CAS, соответственно, столбец. На пересечении строки и столбца как раз и находится ячейка памяти, из которой надо считать данные. RAS-to-CAS, задержка между этими сигналами. Чем она меньше, тем быстрее будет производиться доступ к первому блоку. CAS Latency - задержка между подачей сигнала CAS и выдачей данных. Влияние на быстродействие аналогично предыдущей. Измеряются оба этих параметра в тактах при работе на номинальной частоте. Соответственно, схема, промаркированная как PC133 CAS3, запросто сможет работать в качестве PC100 CAS2. А вот обратное будет справедливо не всегда.

Константин АФАНАСЬЕВ