Компания IBM заявила, что достигла значительных успехов в разработке производственного процесса для магнитной памяти MRAM и даже пообещала, что к 2004 году начнет совместно с Infineon ее промышленное производство. Для продукта, который еще год назад был в стадии глубокой разработки, это очень серьезное и многообещающее заявление. Нынешний прорыв IBM связан с тем, что ей, наконец, удалось получить такую комбинацию магнитного и проводящего слоев, которая не теряет своих свойств при высокотемпературной обработке (до 400 градусов), которая требуется для создания обычной полупроводниковой электроники на том же кристалле. Так что прямая дорога к массовому производству уже видна. Принцип работы MRAM тоже интересен. В основу положен эффект гигантской магниторезистивности (GMR), аналогичный используемому в читающих головках современных винчестеров. Вся система состоит из двух магнитных (железо-кобольто-никелевые пленки) слоев толщиной порядка 20 атомов, между которыми расположен тонкий изолирующий слой (4-5 атомов толщиной). Нижний магнитный слой, в свою очередь, состоит из двух тонкопленочных магнитов (с противоположно ориентированными доменами), разделенных 3-атомным резистивным слоем из рутения. При создании магнитного поля определенной направленности сопротивление резистивного слоя может резко изменяться за счет туннелирования электронов в зависимости от направления их магнитного момента (спиновое туннелирование). Магнитное поле, управляющее сопротивлением (а именно сопротивление и определяет записанную в ячейку информацию), создается при протекании тока перпендикулярно всей слоистой структуре (выбор ячейки и запись). Плюсы MRAM следующие - малое энергопотребление (по сравнению с обычной DRAM, поскольку не надо постоянно обновлять записанную информацию), энергонезависимость (ориентация магнитных моментов сохраняется и после отключеня питания), плотность упаковки, сравнимая с DRAM (следовательно, большие объемы чипов и низкая себестоимость). Что касается времени доступа, то IBM утверждает, что для образцов MRAM они составляют 2.3 наносекунды - запись, 3 наносекунды - чтение, что в 10-20 раз быстрее современной SDRAM. Так что, если обещания насчет массового производства и цены подтвердятся (а IBM и Infineon обычно такими обещаниями не разбрасываются), то переход на новый тип памяти - дело нескольких лет.

Константин АФАНАСЬЕВ